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為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長與擦寫次數(shù)為怎樣的關(guān)系，目前尚未有實際實物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫性能試驗箱，通過FLASH芯片壽命試驗，在地
為了研究Flash存儲器在不同溫度下的性能變化的機理和溫變規(guī)律，評估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號任務(wù)的應(yīng)用提供試驗依據(jù)和改進建議。在溫變規(guī)律研
Flash高低溫試驗箱可用于研究Flash存儲器在不同溫度下的性能變化的機理和溫變規(guī)律，評估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號任務(wù)的應(yīng)用提供試驗依據(jù)
EMMC高低溫循環(huán)試驗箱可針對NAND Flash、UFS芯片進行高速、高低溫度范圍的全功能動態(tài)老化測試。針對集成NAND和Controller的模組芯片（例如
eMMC存儲芯片高低溫老化箱可對eMMC（EmbeddedMulti Media Card，嵌入式多媒體卡）、SSD（Solid State Disk，固態(tài)硬盤
eMMC高低溫試驗箱是一款專門針對eMMC、UFS、eMCP等顆粒存儲芯片進行高低溫老化的設(shè)備。設(shè)備采用可程式系統(tǒng)控制，能夠同時支持大批量芯片同步老化測試，腔體
很多光電器件必須長時間工作在高低溫等各種惡劣環(huán)境下，高低溫失效問題變得越來越嚴(yán)重。針對電器件的高低溫失效問題，研究低溫環(huán)境下器件的電特性規(guī)律和各種參數(shù)隨溫度變化
針對光電產(chǎn)品開展高低溫循環(huán)試驗。試驗過程中每間隔一定的循環(huán)次數(shù)，對器件進行光電性能、杜瓦漏熱、制冷器特性等性能參數(shù)的測試和分析。高低溫循環(huán)試驗需確定以下試驗參數(shù)
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